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中国半导体设备现状
半导体设备具备极高的门槛和壁垒，全球半导体设备主要被日美所垄断，核心设备如光刻、刻蚀、PVD、CVD、氧化/扩散等设备的 top3 市占率普遍在90%以上。目前光刻机、刻蚀、镀膜、量测、清洗、离子注入等核心设备的国产率普遍较低。经过多年培育，国产半导体设备已经取得较大进展，整体水平达到 28nm，并在 14nm 和7nm 实现了部分设备的突破。具体来讲，28nm 的刻蚀机、薄膜沉积设备、氧化扩散炉、清洗设备和离子注入机 已经实现量产;14nm 的硅/金属刻蚀机、薄膜沉积设备、单片退火设备和清洗设备 已经开发成功。8 英寸的 CMP 设备也已在客户端进行验证;7nm 的介质刻蚀机已 被中微半导体开发成功;上海微电子已经实现 90nm 光刻机的国产化。在中低端制程，国产化率有望得到显著提升，先进制程产线为保证产品良率，目前仍将以采购海外设备为主。

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